据报道，台积电宣布已开始利用其InFO_SoW（晶圆上集成扇出硅）技术生产特斯拉Dojo AI训练模块，旨在到2027年通过更复杂的晶圆级系统将计算能力提高40倍。

此前有消息显示，特斯拉超级计算机自制芯片Dojo采用台积电7nm制程，作为台积电首款 InFO_SoW 产品，将提供高速运算定制化需求，且不需要额外PCB载板，就能将相关芯片集成散热模块，加速生产流程。

根据台积电公布的资料显示，InFO_SoW相比于采用倒装芯片（Flip Chip）技术的Multi-chip-module（MCM），在线密度、带宽密度方面等多个方面都有明显的优势。根据台积电的说法，它可以将带宽密度提高2倍，阻抗降低97％，同时将互连功耗降低15％。

至此，台积电首款SoW产品采用以逻辑芯片为主的集成型扇出（InFO）技术，现已投入生产。另一款采用CoWoS技术的芯片堆叠版本，预计于2027年问世，可整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架，或甚至整台服务器的晶圆级系统。

InFO_SoW技术

InFO_SoW（整合型扇出晶圆级系统封装）是“InFO”技术应用于高性能计算机的一种改良模式，也是一种晶圆级（Wafer Scale）的超大型封装技术，主要包括晶圆状的放热模组（Plate）、硅芯片（Silicon Die）群、InFO RDL、电源模组、连接器等部分。

InFO_SoW 本身作为载体，消除了基板和 PCB 的使用。紧凑系统内紧密封装的多个芯片阵列使该解决方案能够获得晶圆级优势，例如低延迟芯片间通信、高带宽密度和低 PDN 阻抗，从而实现更高的计算性能和功效。除了异构芯片集成之外，其晶圆现场处理能力还支持基于小芯片的设计，从而实现更大的成本节约和设计灵活性。

InFO_SoW 在模组（尺寸和晶圆大小相近）上横向排列多个硅芯片（Silicon Die，或者 Chip），再通过“InFO”结构使芯片和输入 / 输出端子相互连接，从而区别于堆叠了两个“InFO”的“InFO_SoIS（System on Integrated Substrate）”技术。

一般来说，InFO_SoW 技术生产的芯片面积较大，它可以将大规模系统（由大量的硅芯片组成）集成于直径为 300mm 左右的圆板状模组（晶圆状的模组）上；而通过采用 InFO 技术，它又可以获得相比传统的模组相更小型、更高密度的集成系统。

在台积电之前公布的资料中，InFO_SoW 相比于采用倒装芯片（Flip Chip）技术的 Multi-chip-module（MCM）和“InFO_SoW”更有优势。经查询发现，与 MCM 相比，其相互连接的排线宽度、间隔缩短了二分之一，排线密度提高了两倍。此外，其单位面积的数据传输速度也提高了两倍；电源供给网络（PDN）的阻抗（Impedance）明显低于 MCM，仅为 MCM 的 3%。

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