佳能将于2021年3月发售新型光刻机“FPA-3030i5a”，该设备使用波长为365纳米的“i线”光源，支持直径从2英寸（约5厘米）到8英寸（约20厘米）的小型基板。分辨率为0.35微米，更新了测量晶圆位置的构件和软件。这是其i-line（365nm波长）步进式光刻系统系列的最新产品，支持包括化合物半导体在内的器件制造。新系统的设计还有助于降低拥有成本。
       FPA-3030i5a步进式光刻机设计用于处理直径在50mm（2英寸）至200mm（8英寸）之间的小型衬底。它不仅支持硅晶圆，还支持碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等常见的化合物半导体材料，这有助于制造各种未来可能出现需求增长的器件，例如用于汽车电气化的大功率器件和用于5G通信的高带宽视频处理和通信器件。

FPA-3030i5a步进式光刻机的硬件和软件已在其前代产品FPA-3030i5步进式光刻机（2012年6月发布）基础上进行了升级，以帮助降低CoO。FPA-3030i5a继承了FPA-3030i5的解像力，可以曝光0.35μm3的线宽图案，同时提供了强大的对准选项并提高了生产效率。新系统采用高速晶圆进给系统，可配置处理各种晶圆材料和尺寸，包括直径为50-200mm的化合物半导体。
FPA-3030i5a采用新的离轴对准范围来照亮和测量晶圆对准标记。不用通过投影透镜观察标记，对准系统可以采用宽范围的照明波长来帮助优化对准条件。配备有可选的通硅对位（TSA）系统的FPA-3030i5a步进式光刻机也可以利用红外光透过衬底进行背面对准。新的对准系统还缩短了对准标记测量时间。
缩短的对准时间、高速的进给系统和升级的软件使FPA-3030i5a对200mm(8英寸)晶圆实现了123片/小时(wph)的产出，与上一代产品相比，生产效率提高了约17％。新光刻机还采用了新的腔室温度控制系统，可使光刻系统保持在清洁的环境和恒定的温度水平。与前代机型相比，新设计有助于降低约20％的功耗，并且通过这种改进，该系统有助于降低CoO。
佳能总结说，通过引进FPA-3030i5a和使用其先进功能，该系统拥有者能够用尺寸从50mm到200mm的、包括硅和SiC、GaN等化合物半导体在内的多种晶圆材料，制造特种电源和通信设备。

在半导体光刻机领域，荷兰ASML和日本的佳能、尼康3家企业占据了全球9成以上的份额。在促进提升半导体性能的精细化领域，可使用短波长的“EUV”光源的ASML目前处于优势地位。佳能光学设备业务本部副业务部长三浦圣也表示，佳能将根据半导体材料和基板尺寸等客户制造的半导体种类来扩大产品线。按照客户的需求，对机身及晶圆台等平台、投影透镜、校准示波器三个主要单元进行开发和组合，建立齐全的产品群。  佳能还致力于研发“后期工序”（制作半导体芯片之后的封装加工等）中使用的光刻机。2020年7月推出了用于515毫米×510毫米大型基板的光刻机。以此来获取把制成的多个芯片排列在一起、一次性进行精细布线和封装的需求。佳能还致力于“纳米压印”（将嵌有电路图案的模板压在硅晶圆的树脂上形成电路）光刻设备的研发。据悉还将着力开展新一代生产工艺的研发。

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