据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利，授权公告号CN116631469B，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，本公开提供了时钟信号生成电路、方法及存储器，涉及半导体技术领域。该电路包括：命令预解码电路，用于对命令中的部分命令位进行解码得到预解码命令信号；命令解码电路，用于对所述命令进行解码得到内部命令信号；计数电路，用于基于初始时钟信号进行时钟周期的计数，生成第一计数信号和第二计数信号；时钟信号截取电路，与所述命令预解码电路、所述命令解码电路和所述计数电路连接，用于根据所述预解码命令信号、所述内部命令信号、所述第一计数信号和第二计数信号对所述初始时钟信号进行截取，得到目标时钟信号。根据本公开实施例，能够降低存储器的动态损耗。

值得注意的是近日，据长鑫存储官网显示，长鑫存储推出了最新LPDDR5 DRAM 存储芯片，是国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌，实现了国内市场零的突破，同时也令长鑫存储在移动终端市场的产品布局更为多元。

南京证券发布研报称，从国内半导体需求的周期反转顺序来看，射频>存储、CIS>模拟>功率，目前国内优质的射频公司2H23库存已经消化到1H21水平，接下来需求反转会轮动到存储板块，目前存储板块近期已经出现涨价现象。随着下半年国内手机品牌陆续推新以及iPhone15系列发布，上游出货压力将逐步缓解，存储芯片调整周期尾声将至，整个存储市场有望迎来拐点。

来源：芯榜

*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。