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在经历了产能过剩、大幅降价、大厂减产、价格回升后,存储芯片正逐渐回到正常的供需区间。
自去年10月SK海力士官宣DRAM、NAND Flash芯片合约价上调10%-20%后,今年1月三星、美光也表示,在第一季度要将DRAM芯片的价格调涨15%-20%。而到今天,各大厂仍在向客户发涨价函。
TechInsights统计数据显示,截至2024年2月16日的一周,DRAM销售额同比增长79%。预计2024全年,全球DRAM芯片销售额将增长46%,达到780亿美元。可见,市场向好的趋势已非常明确。
自去年下半年开始,全球存储芯片市场经历了一系列积极变化,在一定程度上反映了行业整体的复苏态势和对先进技术需求的增长。在这一背景下,多家企业宣布了价格调整和产能扩张计划,显示出对市场前景向好的预期。
其中,三星电子作为行业的领头羊,计划在2024年第三季度对其DRAM和NAND Flash产品实施价格上调,预计涨幅在15%到20%之间,这一决策已经得到了主要客户的认可。这也是三星在2024年第三次宣布涨价,此举一定程度上提振了整个行业的信心。
不仅如此,美光科技也传来喜报,其第三财季的营收超出市场预期,达到68.1亿美元。另一方面,市场中企业级固态硬盘(eSSD)需求激增,三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度满负荷运行NAND生产线。
与此同时,存储模组、主控、封测厂也都传来了好消息,比如佰维存储、福懋、德明利等均报告了业绩的显著提升。佰维存储预计上半年净利润在2.8至3.3亿元之间,实现了同比扭亏为盈的佳绩。而福懋科技则在存储芯片封测领域持续扩产,据悉,其累计今年前五个月营收为39.79亿元,较去年同期成长16.69%。德明利则在第一季度就完成8.11亿元营收同比增长168.52%,净利润1.95亿元同比扭亏为盈。
更值得一提的是,铠侠在经历了长时间的市场调整后,于第四财季达成了31%的营收增长,不仅实现了六个季度以来的首次盈利,还停止了长达20个月的减产措施。
通过以上积极的行业发展动态,不难看出存储芯片市场正在加速回暖,同时也为企业带来了新的增长机遇。业内人士预计,这波向好的行情至少将持续到2025年上半年。
在AI的推动下,HBM(高带宽存储器)技术因其在数据传输速度和容量方面的优势,成为存储芯片市场的新星。尤其高性能计算和数据中心领域,其需求正迅速增长。目前SK海力士、三星、美光三大存储厂商的产能已经被订满。
其中,三星预计2024年HBM产能将增至去年的2.9倍。三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong表示,他们计划在2024年上半年大批量生产12层的第五代HBM3e和基于32千兆位的128 GB DDR5。而美光科技CEO Sanjay Mehrotra则表示,其高性能存储器(HBM)产品已全部售罄,且2025年的大部分产能也已被预订。
不过,除了HBM之外,其他的存储芯片产品也迎来了市场回暖,比如NAND Flash。根据TrendForce的数据,2024年第一季度,全球NAND Flash产业的营收环比增长了28.1%,显示出市场的强劲动力。
2024Q1全球NAND Flash品牌厂商营收情况(图源:TrendForce)
与此同时,供应短缺的情况也开始出现。由于数据中心对大容量SSD的需求激增,可能导致下半年NAND供应紧张。据了解,预计在第三季度,企业级NAND芯片的价格将上涨10%左右,市场将有可能出现供不应求的情况。
另一方面,通用型DRAM也面临着供应短缺的问题。随着业界对HBM的大量投资,通用型DRAM的产能开始被占用,在未来将可能出现缺货情况。并且,随着智能手机和PC制造商推动AI功能的普及,通用型DRAM的需求或将进一步提升。业界普遍认为,终端设备AI能力的普及,将是推动通用型DRAM市场增长的关键因素。
如今,在AI技术的推动下,存储芯片市场正经历着快速的变化,HBM、NAND Flash和通用型DRAM等产品都在受到市场的青睐。而未来,这一趋势将持续很长时间,也给布局AI产品的存储厂商带来了机会。
随着AI技术的飞速发展,一系列B端应用如安防、金融等都开始提出大模型的需求,而在运力、算力、存力三步走的AI时代,存储芯片厂商也正积极布局AI相关产品,以适应这一新兴市场的需求。
以华邦电子为例,其推出的CUBE产品,就以卓越的性能和专为端侧AI设计的特性,成为了市场的焦点,被称之为“小号HBM”。据介绍,CUBE的带宽可到达16GB/s至256GB/s,相当于HBM2, 或32个LP-DDR4x4266Mbpsx16 IO。
目前,随着端侧AI应用场景的大幅扩展,从智能监控、自动驾驶到智能家居,都对存储性能提出了更高要求。而这也带来了算力下沉的新趋势,即云端的算力下放到边缘端,通过在边缘端做推理或者少量训练,保证用户的敏感数据和信息安全。
华邦电子线下活动
不过在此类场景下,并非每个应用都需要HBM这样多层堆叠、极高性能的产品。在这样的背景下,华邦电子的CUBE便能以较低的成本发挥极大价值。据了解,CUBE拥有四大优势:包括低功耗、超高带宽、极小尺寸、高经济效益。尤其对于客户而言,可以有效为其降低成本,因为理想情况下,CUBE可以帮助一些传感器实现数据预处理,降低主控芯片的算力需求。
当然,在AI浪潮下,除了华邦电子外,各大存储芯片公司都带来新产品或新布局。
以国内厂商为例,比如江波龙自研的CXL 2.0内存,通过提供弹性拓展的方式,可以适应现代数据中心大规模数据处理的需求;也比如佰维存储拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目,可以构建HBM实现的封装技术基础;而主控芯片厂商也不甘落后,慧荣科技面向AI手机市场,发布了全新的UFS 4.0主控芯片SM2756,英韧科技则面向AI PC发布了PCIe Gen5主控芯片YRS820。
从HBM的供不应求,到NAND Flash和通用型DRAM的市场回暖,存储芯片市场已呈现出多点开花的局面。各大厂商的涨价函、产能扩张计划、以及业绩的显著提升,都是市场复苏的有力证明。
同时,供应链上下游企业的积极变化,从存储模组、主控、封测厂到终端设备制造商,整个产业链都在为AI时代的到来做好准备。
展望未来,AI技术与存储芯片的深度融合将是大势所趋。存储芯片厂商必须紧跟AI的风口,才能上升周期中寻找新的增量。同时,在AI的推动下,存储芯片将迎来更加广阔的发展空间,行业即将迎来一个新的黄金时代。
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